Американские исследователи создали самый быстрый в мире транзистор, который может стать основой электронных чипов нового поколения.

Ученые Милтон Фенг (Milton Feng) и Вэлид Хейфз (Walid Hafez) из университета в Иллинойсе (University of Illinois), разработали сверхбыстрый транзистор, путем наложения различных полупроводниковых слоев, в структуре микроскопического устройства. Длина полупроводника составляет одну миллионную метра, а максимальная скорость работы — 604 ГГц — это означает, что транзистор способен проводить 604 млрд. операций в секунду. Исследователи разработали особый тип компонента, известный как биполярный переходной транзистор, который состоит из трех расположенных друг на друге слоев.

Сила тока зависит от направления, его прохождения через три слоя — слои базы, эмиттера и коллектора. Управляя током, походящим через базу к эмиттеру, можно управлять током, между эмиттером и коллектором. Для изготовления слоев был использован кристаллы фосфида индия, арсенида индия и галлия. Основой повышения производительности транзистора послужило то, что ученые модифицировали состав слоя коллектора, увеличив долю индия, а это повлияло на кристаллическую решетку материала, облегчив прохождение электронов. По заявлению одного из ученых, электроны не только стали передвигаться быстрее, но и дальше на невероятно больших скоростях, прежде чем остановиться в атомах коллектора. К сожалению, транзисторы не приспособлены для управления электрическим полем, как в компьютерных компонентах, однако для радиоприемников они подойдут идеально, заявил Кэвин Крэвэл (Kevin Krewell), главный редактор издания Microprocessor Report.

Александр Снегов

3dnews