Лидеры американской полупроводниковой индустрии, сосредоточенной ныне преимущественно в Калифорнии, намерены построить на территории мексиканской пустыни новый исследовательский и производственный центр стоимостью более одного миллиарда долларов.

Как сообщает агентство Reuters, по замыслу разработчиков проекта, комплекс, получивший название «Силиконовая граница», будет возведен на площади в 15 квадратных миль в одном из приграничных с США районов Мексики. «В последнее время, производство полупроводниковых микросхем все более перемещается в Азию, и мы уверены, что будет правильным создать параллельный производственный цикл на территории Северной Америки», — прокомментировал глава проекта Рон Джонс.

Ранее строительство подобных предприятий на территории Мексики признавалось нерентабельным из-за низкого общего образовательного уровня граждан страны, а также из-за цен на энергоносители, которые были, в целом, выше, чем в Азии. Однако теперь мексиканские власти заявили о готовности предоставить серьезные налоговые поблажки на 10 лет высокотехнологичным предприятиям, которые будут построены в отведенном для этих целей районе.

Строительство первой очереди предприятий комплекса будет начато уже в августе этого года. Его возведение позволит создать более 100 тысяч рабочих мест.

www.lenta.ru