В понедельник Брайан Харрисон, генеральный директор Numonyx, совместного предприятия STMicroelectronics и Intel, объявил на пресс-конференции, что компания уже выпускает опытные образцы памяти с фазовым переходом (phase change memory, PCM) и в этом году приступит к коммерческим поставкам.

«Мы планируем выйти на рынок в этом году и получить некоторый доход, — сказал он. — Через один-два года эти элементы памяти станут широко доступными».

Слова генерального директора о существующих опытных образцах стали важной вехой в истории РСМ — технологии, которой прочат коммерциализацию «через несколько лет» уже очень давно. В статье в журнале Electronics за 28 сентября 1970 года соучредитель Intel Гордон Мур писал, что Ovonics Unified Memory, как еще называют память этого типа, может выйти на рынок к концу текущего десятилетия.

Задержка объясняется технологическими и экономическими причинами. Во-первых, управлять процессом фазового перехода нелегко. В микросхемах РСМ микроскопические участки подложки, которая изготавливается из того же материала, что и компакт-диски, нагреваются до температуры от 150ºС до 600ºС. Затем расплавленные участки охлаждаются с разной скоростью, от которой зависит, в какое из двух кристаллических состояний они перейдут. За последние годы Intel и ST, по словам Харрисона, достигли больших успехов в области управления состоянием материала.

Тем временем производители флэш-памяти продолжали совершенствовать свою технологию. В 2001 году говорили, что флэш-память упрется в стену на уровне 65-нм технологического процесса. Затем произошел переход к 45-нм технологии. Та же Numonyx изготавливает образцы традиционной флэш-памяти типа NOR с 32-нм элементами. Зачем же бросать существующую технологию, если она продолжает работать? Однако в последние годы Intel и ST нашли способ изготавливать чипы РСМ на том же производственном оборудовании, которое предназначено для стандартных чипов. Это устранило последние преграды на пути РСМ к рынку.

Харрисон сказал, что хотя прогресса в области РСМ добились Philips, IBM и другие, к коммерческому выпуску чипов реально приблизилась только Samsung. Какой смысл компаниям переходить на РСМ? Все дело в технических характеристиках. Эти чипы выдерживают миллионы циклов перезаписи – гораздо больше, чем элементы флэш-памяти. Считывание данных занимает 70-100 нс, то есть столько же, сколько у флэш-памяти типа NOR. Запись данных может производиться со скоростью 1 Мбайт/с, как у флэш-памяти типа NAND. При этом, как и для памяти DRAM, не требуется никакого цикла стирания. Короче, РСМ собрала все лучшие характеристики трех разных типов компьютерной памяти — плюс значительно более низкое энергопотребление.

Себестоимость тоже быстро снижается. К началу будущего года Numonyx надеется выпускать чипы РСМ на базе 45-нм технологического процесса с размещением в одном элементе двух битов данных. Такие чипы будут конкурировать по цене с флэш-памятью типа NAND, которую сегодня начинают использовать вместо жестких дисков.

Однако важнее всего то, что в дальнейшем в таких чипах можно будет сравнительно легко наращивать плотность памяти. В будущем для стандартной флэш-памяти потребуются дополнительные цепи для выполнения коррекции ошибок и других функций. РСМ же они не нужны. И чем меньше будут становиться биты, тем меньше тепла потребуется для их разогрева.

1 апреля, 2008

(Иллюстрация с сайта www.businesswire.com)

Algonet.ru